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onsemi NVMFD5873NLWFT1G
| Artikelnummer: | NVMFD5873NLWFT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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onsemi NVMFD5873NLWFT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NVMFD5873NLWFT1G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Serie Automotive, AEC-Q101 Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 15A, 10V Leistung - max 3.1W Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1560pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.5nC @ 10V FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Grundproduktnummer NVMFD5873 NVMFD5873NLWFT1G Einzelheiten PDF [English] NVMFD5873NLWFT1G PDF - EN.pdf -
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